ヘッドホンアンプ type1 キット

超高性能IC、DCサーボ方式の採用による純粋電力増幅。
ヘッドホンアンプ type1 キット

  ヘッドホンアンプ type1 キット

※写真は組み立て後の物です。

超高性能IC 「LME49720NA」と「LME49600」の組み合わせ、 更には、DCサーボ方式の採用によって、信号路からのコンデンサを完全排除。”純粋電力増幅” 理想的な電力増幅が可能になりました。
出力抵抗にはDEAL社の巻き線抵抗を採用しアンプ出力以降の電力路には特にこだわっております。

キット   ¥6,800.- 数量

完成品   ¥8,800.- 数量

金メッキ仕上げ基板

金メッキ仕上げの基板を採用しております。
※面実装部品の取り付けは無料で承ります。ご用命ください。

オプション

LME49600
取付けサービス

¥0.- 数量

製品の特長

昨今、ヘッドホンでの視聴機会が増えてきました。しかしおまけ程度のヘッドフォンアンプしか設けられていない機器が大多数です。高性能なヘッドホンアンプの需要が高まってきています。

K&R『Headphone Amp. type1』特徴として、”純粋電力増幅” が挙げられます。
超高性能IC 「LME49720NA」と「LME49600」の組み合わせ、 更には、DCサーボ方式の採用によって、信号路からのコンデンサを完全排除。これらの回路構成により理想的な電力増幅が可能になりました。
出力抵抗にはDEAL社の巻き線抵抗を採用し、アンプ出力以降の電力路には特にこだわっております。

サウンドの傾向は、繊細な音まで確実に聴き取れ、楽器各々が喧嘩をせずに自然なアンサンブルが魅力です。一般の音楽鑑賞はもちろんの事、レコーディングやマスタリングのモニターに最適です。
又、電源投入時の不良なポップノイズを除去するミュート回路を搭載しておりますので大切なヘッドフォンや聴覚を保護いたします。

ワンランク上の、ハイレベルなサウンドを是非ご堪能ください。

  • 超低歪み、ローノイズOpAmp 「LME49720NA」、超低歪み、ローノイズバッファ
    「LME49600」のナショナルセミコンダクタの組み合わせによる理想のドライブ。
  • DCサーボの採用により、信号路からコンデンサを排除。これにより、色づけの少ないピュアサウンドを実現。
  • S/N比:122dB(DIN-A), 歪率(THD):0.00022% (150mW 32Ω)の驚愕性能。
  • 電源投入時の嫌なポップノイズ除去回路を装備。ヘッドホン装着時でも安心して電源ONが可能。
  • FR-4(ガラスエポキシ)とゴールドメッキ仕上げのハイクォリティ基板を採用。

基本性能

  • 入力感度
  • 利得
  • 入力インピーダンス
  • 出力インピーダンス
  • 周波数特性
  • S/N比
  • 全高調波歪み(THD)
  • 電源
  • サイズ

1Vrms(1kHz)
7.3dB (2.3倍)
10kΩ
22Ω
9.3Hz~200kHz(±1dB)
122dB(DIN-A)
0.00022% (1KHz 150mW 32Ω)
DC ±9V~±15V
W71×D100×H32(mm)

測定結果

*負荷 33Ωセメント抵抗にての測定です。

Fig.1は、100Hzサイン波の入力信号を変化さえた時の歪み率を表しています。
出力が0.25W程度の時、THD(水色)が最小になっています。
注目したいのは、2次歪みは大変小さいですが、3次歪みが支配的な事が読み取れます。

Fig.1


Fig.2は、1KHzサイン波の入力信号を変化さえた時の歪み率を表しています。
出力が0.15W程度の時、THD(水色)が最小になっています。100Hzの時に比べ、2次歪み3次歪みの差は余り大きくありません。しかし、0.15Wを超えると急激に3次歪みが支配的になっています。ですが、0.001%程度と十分小さな値です。

Fig.2


Fig.3は、5KHzサイン波の入力信号を変化さえた時の歪み率を表しています。
出力が0.1~0.3W程度の時、THD(水色)が最小になっています。2次歪よりも3次歪みが支配的なのが読み取れます。

Fig.3


Fig.4は、1Vrmsの1KHzサイン波を入力した時のスペクトラム構成です。
やはり、2KHzよりも、3KHzの処に、大きめの歪みを観測する事ができます。
60Hzに若干ハムノイズが確認されますが、-120dBと全く問題ない小ささです。

Fig.4